[发明专利]获得光刻工艺关键尺寸摇摆曲线的方法在审
| 申请号： | 202111409042.7 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114077166A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 詹海娇;高松;胡丹丹 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获得光刻工艺关键尺寸摇摆曲线的方法包括以下步骤，准备第一掩膜版，所述第一掩膜版在制备过程中被划分为多个列，每列具有不同的透光率，透光率沿宽度方向呈现出递增趋势；准备一片测试晶圆，将所述测试晶圆划分为多个曝光区域，每个所述曝光区域为一个独立的曝光单元；光刻、曝光、显影、测量，将测量所得的光刻胶膜厚和测量所得的关键尺寸绘制成光刻工艺关键尺寸摇摆曲线。本发明在单个曝光单元获得光刻胶膜厚与关键尺寸的关系曲线，降低了测试时间和成本，并且可以通过摇摆曲线的极值点确定光刻工艺的最佳膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 光刻 工艺 关键 尺寸 摇摆 曲线 方法 | ||
【主权项】：
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