[发明专利]一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法有效
| 申请号： | 202111394943.3 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114460429B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 于庆奎;王贺;曹爽;孙毅;梅博;吕贺;莫日根;王乾元;孙佳佳;张洪伟 | 申请（专利权）人： | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 庞静 |
| 地址： | 100194 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET总剂量效应试验。本发明可以解决SiC MOSFET的总剂量试验问题，实现了对SiC MOSFET复杂总剂量效应的验证，在试验过程中，对总剂量辐射诱生缺陷引起的阈值电压漂移和SiC MOSFET界面附近固有的近界面陷阱电荷引起的阈值电压漂移分别测量，对测试结果进行综合分析计算，可以给出SiC MOSFET器件抗总剂量效应能力，给用户进行应用抗辐射加固设计和生产厂家进行器件加固起到一定的指导作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 器件 剂量 效应 试验 方法 | ||
【主权项】：
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