[发明专利]一种双应变缝隙双电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111373690.1 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114001640A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 赵永娟;宋丁;武文革;成云平;刘丽娟;杨阳;宋相弢 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16 |
| 代理公司： | 太原新航路知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14112 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜应变传感器，具体是一种双应变缝隙双电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法。本发明解决了现有薄膜应变传感器在应用于低应变或微应变测量环境时应变偏小、灵敏度和线性度偏低的问题。一种双应变缝隙双电阻栅式薄膜应变传感器，包括矩形不锈钢基底、矩形氮化钛过渡膜层、条形氮化硅绝缘膜层、两个矩形氮化硅绝缘膜层、两个镍铬薄膜电阻栅；其中，矩形不锈钢基底的表面四角各贯通开设有一个安装圆孔；矩形氮化钛过渡膜层沉积于矩形不锈钢基底的上表面中部；条形氮化硅绝缘膜层和两个矩形氮化硅绝缘膜层均沉积于矩形氮化钛过渡膜层的上表面。本发明适用于切削加工中的切削力测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 缝隙 电阻 薄膜 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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