[发明专利]一种四应变缝隙四电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111373603.2 申请日: 2021-11-19
公开(公告)号: CN114001639A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 武文革;杨阳;赵永娟;成云平;刘丽娟;宋丁;宋相弢 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G01B7/16 分类号: G01B7/16
代理公司: 太原新航路知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14112 代理人: 王勇
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及薄膜应变传感器,具体是一种四应变缝隙四电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法。本发明解决了现有薄膜应变传感器在应用于低应变或微应变测量环境时应变偏小、灵敏度和线性度偏低的问题。一种四应变缝隙四电阻栅式薄膜应变传感器,包括H形金属基底、矩形过渡膜层、矩形绝缘膜层、四个镍铬薄膜电阻栅;其中,矩形过渡膜层沉积于H形金属基底的上表面中部;矩形绝缘膜层沉积于矩形过渡膜层的上表面,且矩形绝缘膜层的表面贯通开设有四道呈十字形分布的应变缝隙;四道应变缝隙的首端均封闭;四道应变缝隙的尾端一一对应地贯通矩形绝缘膜层的四个端面中部。本发明适用于切削加工中的切削力测量。
搜索关键词: 一种 应变 缝隙 电阻 薄膜 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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