[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111360679.1 申请日: 2021-11-17
公开(公告)号: CN114088257A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 黄晓东;张志强;兰之康;秦明;黄见秋;韩磊 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18;G01L9/06;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 吴旭
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法,在敏感薄膜的上表面和下表面分别制备两个压敏电阻,且在敏感薄膜厚度方向上两组压敏电阻完全重合,并且同一表面的两个压敏电阻分别正对敏感薄膜一组相对边缘的中心位置;敏感薄膜下表面的两个压敏电阻的两端分别通过金属引线与结构上表面的电极层电连接,金属引线上设有绝缘层;四个压敏电阻之间采用惠斯通电桥方式连接。本发明中两组压敏电阻沿敏感薄膜厚度方向垂直分布,且两组压敏电阻在水平方向上均沿同一方向排布,结构具有高度的对称性,解决了压阻排布的不对称性导致传感器输出精度降低的问题。
搜索关键词: 一种 mems 压阻式 压力传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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