[发明专利]一种六方氮化硼模板的制备方法有效
| 申请号： | 202111348902.0 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114059166B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张纪才 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人： | 王鸿远 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种六方氮化硼模板的制备方法，包括：将异质衬底放入CVD或者HVPE反应腔室，向反应腔室内通入氮气和/或氢气，并将反应腔室的温度升温至1300‑1500℃，以达到生长BAlN的生长温度；在1300‑1500℃下，向反应腔室内通入氢气以清洗异质衬底，清洗时间为5‑10分钟；在1300‑1500℃条件下，同时向反应腔室内通入氮源、铝源和硼源，使氮源的通入流量为10‑5000sccm，铝源和硼源的通入流量分别为0.05‑10sccm；以及在BAlN层厚度达到50‑1000nm后，改变生长条件，将反应腔室内的生长温度提升1500‑1700℃，压力为10‑100Torr，使氮源的通入流量为10‑1000sccm，硼源的通入流量为0.05‑50sccm，在BAlN缓冲层上原位生长厚度为2‑10μm的六方氮化硼模板，其中，所述六方氮化硼模板的生长速率为0.1‑20μm/h。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 模板 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学，未经北京化工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111348902.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
