[发明专利]一种N型Bi-Te-Se基热电薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种N型Bi‑Te‑Se基热电薄膜及其制备方法，所述制备方法包括步骤：通过磁控溅射法制备得到Bi2Tey薄膜，其中，2.5≤y≤3.5；通过热蒸发法制备得到Se薄膜；将Bi2Tey薄膜和Se薄膜贴合设置并进行热处理，使Se薄膜中的Se升华并扩散到Bi2Tey薄膜中，得到N型Bi‑Te‑Se基热电薄膜。本发明通过磁控溅射法使得制备得到的Bi2Tey薄膜质量好、成分均匀，通过热蒸发法制备得到密度较低的Se薄膜，更有利于后续的升华和扩散。通过磁控溅射法和热蒸发法的配合使用实现Se的均匀掺杂、Se掺杂和热处理同时进行，避免了Te和Se的损失，无缺陷产生，制备得到了成分可控且均匀的具有较高电输运性能的N型Bi‑Te‑Se基热电薄膜。本发明中的N型Bi‑Te‑Se基热电薄膜质量高，热电性能好、重复性好，可大面积生产。