[发明专利]金属栅极上介质层刻蚀方法在审
| 申请号： | 202111319340.7 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN114242574A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 谢学良 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种金属栅极上介质层刻蚀方法。所述金属栅极上介质层刻蚀方法包括依次进行的以下步骤：提供形成有金属栅的半导体器件；使得所述金属栅的表层氧化，形成金属氧化物阻挡层，所述金属氧化物阻挡层填充位于所述金属栅表面的凹陷刮痕；在所述半导体器件上制作介质层，所述介质层至少覆盖在所述金属氧化物阻挡层上；通过光阻层定义出刻蚀图案，依照所述刻蚀图案，以所述金属氧化物阻挡层为刻蚀停止层，对所述介质层刻蚀。申请提供了的金属栅极上介质层刻蚀方法，可以解决相关技术中因金属栅极的表层中的凹陷刮痕，而导致金属栅极上介质层在刻蚀过程中使用的酸性溶液侵蚀金属栅极的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 介质 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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