[发明专利]一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111286222.0 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114014880A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 刘淑娟;余波;赵强;陈曦;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C07F5/02 | 分类号： | C07F5/02;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢霞 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一类强供电子基氟硼二吡咯衍生物及其制备方法和应用；所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物对近红外光敏感，通过在R和R^位引入多种强给电子基团，提高了材料在近红外的吸光系数；制备的所述强供电子基氟硼二吡咯衍生物作为供体材料引入有机光电探测器件，可以提高活性层的空穴传输速率，提高了对近红外光的响应速度；同时光电探测器的器件结构可为体异质结型和平面异质结型器件。本发明所述光电探测器，器件结构和制作工艺简单，对温度不敏感，且在近红外范围内具备高的响应度和响应速度，在光通信等领域具有良好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一类 电子 基氟硼二 吡咯 衍生物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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