[发明专利]一种高纯低氧钽靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202111272080.2 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113981390A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;李桂鹏;王学泽;黄洁文;吴东青 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/04;B22F3/15;B22F9/04;B22F1/142;B22F1/145 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯低氧钽靶材的制备方法，对高纯钽源先采用氢化‑脱氢工艺，利用氢气将高纯钽源中各种氧化物或氯化物杂质进行还原，使得高纯钽源变脆，再破碎脱氢来制取高纯钽粉，但是在破碎、筛分过程中，会导致高纯钽粉中氧含量升高，再采用加镁粉的降氧处理，将氧转化为氧化镁，再利用酸洗与干燥，可以将多余镁粉与氧化镁除去，从而得到高纯低氧钽粉；随后，将高纯低氧钽粉通过冷等静压得到结合紧密的冷压坯料，通过脱气处理进一步除去杂质气体并提高致密度，最后依靠热等静压制备得到致密度达标的高纯低氧钽靶材，将钽靶材中氧含量控制在≤400ppm，更优时≤300ppm，同时提高靶材成材率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 低氧 钽靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
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