[发明专利]去除氯硅烷粗单体中氯碳化合物、不饱和烃的方法及系统在审
| 申请号： | 202111272014.5 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113816986A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 蒋鹏;郭建伟;杜鹃;张杰 | 申请（专利权）人： | 新疆晶硕新材料有限公司;新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/20 | 分类号： | C07F7/20;B01J8/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张蓉 |
| 地址： | 831500 新疆维吾尔自治区乌鲁木*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明提供去除氯硅烷粗单体中氯碳化合物、不饱和烃的方法及系统。所述去除氯硅烷粗单体中氯碳化合物和不饱和烃的方法为：提供一个氯碳化合物转化反应器，所述反应器内部填充有负载了催化剂的氧化铝分子筛，将氯硅烷粗单体以液态的形式从所述反应器的顶部流入所述反应器内部，在所述反应器中进行催化转化反应。本发明中使用的催化剂具有极好的选择性、热稳定性且对碳钢无腐蚀性，能够有效将氯硅烷粗单体中的氯碳化合物以及不饱和烃转化并在后面的工艺中脱除，保证了下游产品的稳定性；本发明中使用的氯碳化合物转化反应器，其具有装置运行周期长，开工时间短的优点，所述氯碳化合物转化反应器的运行周期能达到4年。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 硅烷 单体 碳化 不饱和 方法 系统 | ||
【主权项】：
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