[发明专利]氧空位与离子异质集成的神经突触忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111270386.4 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114005935A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王天宇;孟佳琳;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氧空位与离子异质集成的神经突触忆阻器及其制备方法。该氧空位与离子异质集成的神经突触忆阻器包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；功能层，形成在所述底电极上，由氧化物层和离子凝胶层构成，所述氧化物层用于提供氧空位通道实现稳定的电阻转变行为，所述离子凝胶层用于提供可移动离子模拟生物信息传递；顶电极，形成在所述功能层上。同时具有氧空位型忆阻器的高速、稳定响应与离子型忆阻器的仿生信息传递功能。 | ||
| 搜索关键词： | 空位 离子 集成 神经 突触 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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