[发明专利]一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用有效
| 申请号： | 202111269911.0 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114023561B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李渊;邓瑶;苏建伟;翟天佑 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;H01F41/22;H01F10/32;H01F41/14;H01F41/30 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用，属于二维材料制备领域。所述方法包括：在基底上生长磁性薄膜，退火使其形成磁性纳米颗粒；利用化学气相沉积法的方法将二维材料包覆在磁性纳米颗粒表面，形成曲面包覆结构，得到所述非本征二维复合磁性材料。该方法形成在室温下拥有磁性的非本征的复合二维材料，可以有效地控制材料尺寸，在非易失性磁性存储和谷‑自旋电子学器件方面具有巨大应用前景。由此解决二维本征磁性材料的磁性实现都在较低温的条件下；而传统的非本征的磁性并不能很好地达到想要的效果，并且制备方法复杂、制备条件苛刻的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 复合 磁性材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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