[发明专利]一种有机-无机杂化钙钛矿材料的制备方法及应用有效
| 申请号： | 202111267623.1 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114015984B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王磊;郭闰达;彭陈程 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/12;C23C14/58;H10K85/50;C23C14/54 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 祝丹晴 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机‑无机杂化钙钛矿材料的制备方法及应用，属于光电材料与器件领域，包括：将包括一种或多种碱金属卤化物、包含钙钛矿材料A位一价阳离子的卤化物以及包含钙钛矿材料B位二价阳离子的卤化物在低于预设真空度的条件下进行三源共蒸，原位生长钙钛矿薄膜，得到钙钛矿材料；本发明通过真空蒸镀法制备钙钛矿材料，碱金属卤化物引入的碱金属离子能在钙钛矿材料中以离子键的成键方式与卤素成键，形成不易脱落的金属配体，增强铅‑卤素键能，可以抑制钙钛矿材料中卤素空位的产生，钝化卤素空位，同时赋予钙钛矿材料高稳定性；且碱金属离子的加入对钙钛矿材料的电学传输性能影响较小，能够兼顾钙钛矿材料的稳定性和电学传输特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 无机 杂化钙钛矿 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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