[发明专利]一种射频电极进针路径和消融位置的规划方法及装置在审
申请号: | 202111262871.7 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN113952030A | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 俞益洲;李瑞坤;王利生;孙凤磊;哈卿;乔昕;李一鸣 | 申请(专利权)人: | 北京深睿博联科技有限责任公司;杭州深睿博联科技有限公司 |
主分类号: | A61B34/10 | 分类号: | A61B34/10;A61B18/12;A61B18/14;G16H20/40 |
代理公司: | 北京天方智力知识产权代理事务所(普通合伙) 11719 | 代理人: | 路远 |
地址: | 102209 北京市昌平区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种射频电极进针路径和消融位置的规划方法及装置。所述方法包括:进针方向初始化步骤,进针路径规划步骤,消融位置规划步骤。本发明通过对肿瘤区域进行两次投影,将三维规划转化为两个二维规划,大大减少了计算复杂度和计算量;通过基于肿瘤长轴方向生成初始进针方向,可以快速规划进针路径,避免了全局搜索带来的时间损耗。本发明所述方法提高了射频电极进针路径和消融位置的规划速度,能够满足实际临床对规划效率的要求。实验表明,采用本发明所述方法的单次规划不超过3分钟。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 电极 进针 路径 消融 位置 规划 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京深睿博联科技有限责任公司;杭州深睿博联科技有限公司,未经北京深睿博联科技有限责任公司;杭州深睿博联科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111262871.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。