[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202111260209.8 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114203873B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;兰叶;朱广敏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法。该微型发光二极管芯片包括：外延结构、钝化层、第一电极和第二电极；外延结构包括第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和透明导电层，外延结构的侧壁设有环形凹槽，环形凹槽位于第一半导体层的侧壁、多量子阱层的侧壁和第二半导体层的侧壁；钝化层位于透明导电层远离多量子阱层的一面，且延伸至第一半导体层的侧壁、多量子阱层的侧壁和第二半导体层的侧壁，并覆盖环形凹槽；第一电极位于第一半导体层远离透明导电层的表面，钝化层具有通孔，第二电极位于通孔内，且位于透明导电层的表面。本公开能有效改善微型发光二极管芯片上边缘区域的缺陷较多的问题，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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