[发明专利]一种晶圆级MXene光电探测器阵列的构筑方法

摘要

本发明涉及MXene基光电器件的研发与应用领域，具体为一种晶圆级MXene光电探测器阵列的构筑方法。本发明由组合优化的离心、旋涂、光刻和干法刻蚀四步对MXene薄膜晶圆级的图案化。阵列由碳纳米管晶体管和MXene光电探测器构成，碳纳米管晶体管包括衬底以及衬底上的源/漏电极、栅绝缘层、栅电极以及沟道，电极由Ti/Au复合层构成，绝缘层为氧化铝层，沟道为碳纳米管薄膜沟道。MXene基光电探测器包括硅衬底以及硅衬底上电极、半导体层、氧化层、透明导电薄膜构成，半导体层为n型硅，氧化层为SiOx，透明导电薄膜为MXene薄膜，电极为Ti/Au复合层。利用所发明的MXene图案化方法构筑的MXene光电探测器具有高光电性能，构筑的1024像素集成的阵列展现良好的图像探测能力。