[发明专利]一种酸抛光刻蚀机的改造方法、采用酸抛光刻蚀机去除硅片表面磷硅玻璃的方法及设备在审
| 申请号： | 202111215971.4 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113948385A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 崔逸;苏中阳;关柏 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王丽莎 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种酸抛光刻蚀机的改造方法、采用酸抛光刻蚀机去除硅片表面磷硅玻璃的方法及设备，属于硅片加工工艺领域。酸抛光刻蚀机的改造方法包括将螺牙滚轮更换为粘液滚轮，并在刻蚀槽内设置用于与磷硅玻璃反应的药液，且粘液滚轮在高度方向的1/3～2/3浸入刻蚀槽的药液中。粘液滚轮包括多个间隔布置的环形槽，环形槽的深度为0.5～1mm。本申请的酸抛光刻蚀机能够在原酸抛光工艺升级为碱抛光工艺后，将原酸抛光刻蚀机改造成为能够用于去除硅片的磷硅玻璃，从而与新的碱抛光刻蚀机配合使用，减少购买新的用于去除硅片的磷硅玻璃的设备，减少技改成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 刻蚀 改造 方法 采用 去除 硅片 表面 玻璃 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
