[发明专利]半导体纵向器件及其生产方法在审
| 申请号： | 202111213211.X | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113990921A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 姜春亮;李伟聪;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体纵向器件及其生产方法，其半导体纵向器件的器件主体部的底端依次覆盖有第一导电类型衬底与金属化漏极，器件主体部的顶端覆盖有金属化源极；器件主体部由上往下依次划分为第一导电类型重掺杂区、第二导电类型轻掺杂区以及第一导电类型漂移区，器件主体部的顶端凹设有一深沟槽，以分别放置控制栅电极与屏蔽栅电极；第一导电类型重掺杂区的顶层外侧设置有缺口，该缺口填充为第二导电类型重掺杂区。本申请可有效降低现有功率半导体纵向器件的穿通击穿电压的温度系数，且结构简单、器件工作时的整体功耗较低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纵向 器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
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