[发明专利]一种Si基双面电池隧道结的结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Si基双面电池隧道结的结构及其制备方法，包括：N型Si衬底和N型AlxGa1‑xAs层；N型Si衬底的上下表面分别掺杂形成P+型Si层和N+型Si层，P+型Si层上依次形成有N+型Si隧道结层和N型Si层；N型AlxGa1‑xAs层的上下表面分别掺杂形成P+型AlxGa1‑xAs层和N+型AlxGa1‑xAs层，N+型AlxGa1‑xAs层上形成有N型Si层；N型Si衬底的N型Si层与N型AlxGa1‑xAs层的N型Si层键合连接，形成N型Si键合层；P+型AlxGa1‑xAs层和N+型Si层上分别形成减反射膜和透明导电薄膜，上下的透明导电薄膜上分别形成正面电极和背面电极。本发明通过沉积隧道结来实现AlGaAs电池与Si电池的集成，其提高了吸收系数且降低了Si片的厚度，从而降低了成本，有利于柔性太阳能电池的制备。