[发明专利]一种双面双结Si基GaAs太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双面双结Si基GaAs太阳能电池及其制备方法，包括：n‑Si层和n‑GaAs层；n‑Si层的上下表面分别掺杂形成p+‑Si层和n+‑Si层，p+‑Si层上依次形成有Si氧化物层和第一隧道结；n‑GaAs层的上下表面分别掺杂形成p+‑GaAs层和n+‑GaAs层，n+‑GaAs层上形成有GaAs氧化物层，GaAs氧化物层键合在第一隧道结上；在p+‑GaAs层、n‑GaAs层、n+‑GaAs层、GaAs氧化物层、第一隧道结和Si氧化物层刻蚀形成有导电沟槽，导电沟槽内填充有导电材料填充物；p+‑GaAs层和n+‑Si层上分别制备减反射层、欧姆接触层和金属电极。本发明通过刻蚀出导电沟道实现电池内部电子的有效输运，提高电池内部的电学特性，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率。