[发明专利]一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器，紫外探测技术领域，包括衬底，在衬底上依次生长的缓冲层、n‑AlGaN层、i‑AlGaN层、p‑AlGaN层；i‑AlGaN层和p‑AlGaN层位于器件的有源区之间的区域均被刻蚀掉，形成被分隔开的两部分p型有源区；还包括2个p型欧姆接触电极上电极，分别位于两部分p型有源区的p‑AlGaN层的上方，上电极与p‑AlGaN层形成欧姆接触；n‑AlGaN层作为基极连接两部分pin结构，形成p‑i‑n‑i‑p结构，光照下电子在所述n‑AlGaN层聚集，降低了所述n‑AlGaN层基极与p‑AlGaN层之间的势垒，引起空穴在p‑AlGaN层发射，产生增益。本发明还提供一种上述探测器的制备方法。本发明的探测器在具有高增益的同时，具有响应速度快的特性，性能优异、结构简单、制备方法简单、应用前景广泛。