[发明专利]一种高可靠性MOSFET集成电路芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111206703.6 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113948577A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘秀梅;刘锋;殷允超;周祥瑞 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京神州信德知识产权代理事务所(普通合伙) 11814 | 代理人： | 朱俊杰 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高可靠性MOSFET集成电路芯片及其制备方法，包括终端区域；在终端区域内设置至少一个第一类沟槽(11)和至少两个第二类沟槽(8)；所述第一类沟槽(11)内设有源极导电多晶硅(4)；所述第二类沟槽(8)内设有浮空多晶硅(12)；增加所述第一类沟槽(11)和所述第二类沟槽(8)数量以提高终端区域的耐压能力，并且逐渐增大与所述第二类沟槽(8)相邻的平台区的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 mosfet 集成电路 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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