[发明专利]一种高质量氮化物紫外发光结构的生长方法有效
申请号: | 202111179627.4 | 申请日: | 2021-10-11 |
公开(公告)号: | CN113921664B | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 王新强;李泰;刘上锋;袁冶;康俊杰;罗巍 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;C30B25/18;C30B29/40 |
代理公司: | 东莞市奥丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44424 | 代理人: | 周文 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明提供一种高质量氮化物紫外发光结构的生长方法,包括以下步骤:步骤S1、制备微柱型衬底;步骤S2、将微柱型衬底放置在MOCVD设备中,并进行升温,升温至1100℃~1200℃时,使用H |
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搜索关键词: | 一种 质量 氮化物 紫外 发光 结构 生长 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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