[发明专利]一种高质量氮化物紫外发光结构的生长方法有效

专利信息
申请号: 202111179627.4 申请日: 2021-10-11
公开(公告)号: CN113921664B 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 王新强;李泰;刘上锋;袁冶;康俊杰;罗巍 申请(专利权)人: 松山湖材料实验室
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;C30B25/18;C30B29/40
代理公司: 东莞市奥丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44424 代理人: 周文
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种高质量氮化物紫外发光结构的生长方法,包括以下步骤:步骤S1、制备微柱型衬底;步骤S2、将微柱型衬底放置在MOCVD设备中,并进行升温,升温至1100℃~1200℃时,使用H2对微柱型衬底表面进行清洁;步骤S3、在H2清洁之后进行降温,沉淀一层中温AlN缓冲层;步骤S4、在中温AlN缓冲层上生长高温AlN层,通过生长过程中的条件控制,实现AlN晶柱的独立生长,形成微柱状AlN;步骤S5、在微柱状AlN上生长以多量子阱层为核心的发光结构,形成微柱型发光结构,其优点在于:能够制作低位错密度的紫外发光结构,有利于实现高强度的紫外发光;同时可以实现低应力甚至无应力的量子阱生长;有利于加强对侧面出光的光提取效率,从而增大LED的外量子效率。
搜索关键词: 一种 质量 氮化物 紫外 发光 结构 生长 方法
【主权项】:
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