[发明专利]深紫外阵列互联micro-LED及其制备方法有效
申请号: | 202111173181.4 | 申请日: | 2021-10-08 |
公开(公告)号: | CN113903762B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 王新强;李铎;袁冶;刘上锋;康俊杰;罗巍;李泰 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/20;H01L33/40;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 刘嘉伟 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种深紫外阵列互联micro‑LED及其制备方法,本发明采用微米台面降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗,覆盖在微米台面阵列上方的金属增强了紫外光线的在电极处的反射,以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射,从而大幅度提高了该深紫外LED结构中紫外光的光提取效率,降低了电极的发热,同时微米台面提高了有源区中载流子的注入密度,提高日盲通讯中的调制带宽和传输速率,高亮度则有助于提高信号传输过程中的信噪比和抗干扰能力,以及延长了传输距离。本发明深紫外阵列互联micro‑LED的制备方法灵活性强,兼容现有半导体工艺,有利于改善器件性能,实现批量生产。 | ||
搜索关键词: | 深紫 阵列 micro led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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