[发明专利]深紫外阵列互联micro-LED及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111173181.4 申请日: 2021-10-08
公开(公告)号: CN113903762B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 王新强;李铎;袁冶;刘上锋;康俊杰;罗巍;李泰 申请(专利权)人: 松山湖材料实验室
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/20;H01L33/40;H01L33/00
代理公司: 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 代理人: 刘嘉伟
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种深紫外阵列互联micro‑LED及其制备方法,本发明采用微米台面降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗,覆盖在微米台面阵列上方的金属增强了紫外光线的在电极处的反射,以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射,从而大幅度提高了该深紫外LED结构中紫外光的光提取效率,降低了电极的发热,同时微米台面提高了有源区中载流子的注入密度,提高日盲通讯中的调制带宽和传输速率,高亮度则有助于提高信号传输过程中的信噪比和抗干扰能力,以及延长了传输距离。本发明深紫外阵列互联micro‑LED的制备方法灵活性强,兼容现有半导体工艺,有利于改善器件性能,实现批量生产。
搜索关键词: 深紫 阵列 micro led 及其 制备 方法
【主权项】:
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