[发明专利]电容隔离器及其形成方法在审
| 申请号： | 202111161489.7 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115910608A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 丁亚;杨林宏;张艳红;杜义琛;陈秋颖 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/005 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞;唐嘉 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种电容隔离器及其形成方法，其中电容隔离器包括：衬底；位于所述衬底上的底层电极板；位于所述底层电极板上的绝缘结构；位于所述绝缘结构上的顶层电极板；位于所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者侧壁的第三覆盖层，所述第三覆盖层的材料包括金属氮化物。金属氮化物中氮原子占据着金属晶格中的间隙位置，使得金属氮化物中电子的迁移能力远弱于金属，这种形成第三覆盖层的金属氮化物能够起到电子缓冲层的作用，从而提高电容隔离器极板侧壁处的绝缘结构的抗击穿能力及减小电容隔离器的漏电。另外金属氮化物还可以有效防止底层电极板或顶层电极板中的电子迁移，使得电容隔离器的经时击穿也得到较大的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 隔离器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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