[发明专利]一种在SiO2

摘要

本发明公开了一种在SiO2衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法，所述方法包括：用丙酮、乙醇和去离子水对衬底进行表面清洗；其中，所述衬底材料为Si/SiO2衬底或SiO2玻璃衬底；在所述衬底上进行光刻，旋涂光刻胶，进行光刻后再经过干法刻蚀或湿法腐蚀获得凹槽图形；在所述衬底的凹槽图形中沉积一层锗晶体，得到处理后的衬底；将所述处理后的衬底放进化学气相沉积设备中进行生长，生长源为高纯度硫粉和高纯度锗粉，从而制得SiO2衬底上的硫化锗单晶薄膜。本发明提供的制备方法操作简单，可以在SiO2衬底上生长出单晶硫化锗GeS2，单晶硫化锗晶体质量高，表面粗糙度小，具有对应可见光波段蓝紫光的禁带宽度。