[发明专利]一种薄基片厚度方向残余应力分布获取方法在审

专利信息
申请号: 202111145152.7 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN113889193A 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 刘海军;周静;韩江;夏链;田晓青 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: G16C10/00 分类号: G16C10/00
代理公司: 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) 34114 代理人: 吴娜
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种薄基片厚度方向残余应力分布获取方法,包括:建立磨粒磨削分子动力学初始构型,得到三维尺寸分子动力学仿真模型;确定仿真参数,完成系统环境设置;对分子动力学模型进行散热处理,输出散热各个时刻粒子的位置与应力信息;选取规避边界的区域粒子,计算该区域各个粒子的等效应力,表征粒子残余应力;对所选区域残余应力进行厚度方向上的分析,将所选区域沿厚度方向分成多个层段,求解每个层段的残余应力,获得残余应力在厚度方向上的分布,得到残余应力最大值位置。本发明在分子动力学模拟磨粒磨削结束后进行了散热处理,消除了仿真磨削过程中热应力对残余应力的影响,可以直接准确得到粒子残余应力计算的相关信息。
搜索关键词: 一种 薄基片 厚度 方向 残余 应力 分布 获取 方法
【主权项】:
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