[发明专利]压力传感器、压力传感阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 202111142735.4 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113884226B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 郭小军;陈苏杰;李骏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L1/00;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压力传感器、压力传感阵列及其制备方法。所述压力传感器包括：薄膜晶体管，包括衬底、底栅电极、绝缘层、源电极和漏电极、半导体层、钝化层和顶栅电极，所述顶栅电极与所述漏电极通过贯穿所述钝化层的互连结构电连接；电阻式压力敏感薄膜，位于所述顶栅电极和所述钝化层上方，且所述电阻式压力敏感薄膜与所述顶栅电极之间具有空隙；顶电极，位于所述电阻式压力敏感薄膜背离所述顶栅电极的表面。本发明将电阻式压力敏感薄膜与薄膜晶体管形成纵向集成，有利于减小所述压力传感器的面积，易于制备高分辨率的传感器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 压力 传感 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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