[发明专利]一种半导体器件、存储器以及存储系统

摘要

本发明公开了一种半导体器件、存储器以及存储系统，该半导体器件包括衬底、位于衬底上的堆叠层和虚拟沟道结构，堆叠层包括阶梯区，虚拟沟道结构包括多个，且沿垂直于衬底的第一方向贯穿阶梯区的堆叠层。其中，每个虚拟沟道结构包括中心结构和多个外突分支结构，在至少部分虚拟沟道结构中，多个外突分支结构均匀间隔围绕中心结构且与中心结构连接，多个外突分支结构相对于中心结构、沿垂直于第一方向且远离中心结构的第二方向外突。这样虚拟沟道结构的形状使得在刻蚀形成虚拟沟道孔时，上下能够保持形状一致，即保形性较好，进而支撑性能更好。另外，由于本发明中的虚拟沟道结构的尺寸较大，可以降低深宽比，因此可以降低沟道孔的刻蚀难度。