[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器有效
| 申请号： | 202111125945.2 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113820801B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 尹志军;汤济;崔国新;许志城 | 申请（专利权）人： | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域，提供一种基于铌酸锂薄膜的脊形波导端面耦合器，该端面耦合器具有异质两步倒锥形波导的耦合结构，应用于将光纤中的光耦合进入薄膜铌酸锂芯片上的波导。该端面耦合器自下而上包括衬底层、绝缘层和耦合结构，其中，耦合结构包括顺序相接的覆盖波导、由氮化硅制成的第一步倒锥形波导、由LION薄膜材料制成的第二步倒锥形波导和器件波导。本申请首先将光纤与覆盖波导端面对接，光纤模场尺寸与覆盖波导匹配，光能量高效地进入覆盖波导传播；随后，覆盖波导中的模场又通过两步倒锥形波导结构，依次且有效地转换为条形波导模场和脊形波导模场，最终进入功能器件，从而实现高效率的纤芯耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铌酸锂 薄膜 脊形波导 端面 耦合器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京南智先进光电集成技术研究院有限公司，未经南京南智先进光电集成技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111125945.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
