[发明专利]IGBT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202111123433.2 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113851380B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 曹功勋 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：衬底，该衬底包括相对的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面结构；第一氦离子缺陷层及第二氦离子缺陷层，第一氦离子缺陷层形成于有源区的第二主面内，第二氦离子缺陷层形成于过渡区及终端区的第二主面内，第一氦离子缺陷层的缺陷密度小于第二氦离子缺陷层的缺陷密度；集电极区，形成于衬底的第二主面；缓冲区，形成于衬底的第二主面内。本发明通过控制过渡区和终端区背面的缺陷层中载流子寿命比有源区背面的缺陷层的载流子寿命更短，在保证较低的通态压降及较低关断损耗的同时也缓解IGBT关断时过渡区电流集中问题。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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