[发明专利]一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法在审
| 申请号： | 202111118759.6 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114038733A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;和巍巍;汪之涵;郑泽东;喻双柏 | 申请（专利权）人： | 基本半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法，选择商业化的硅衬底并清洗；在硅衬底正面涂覆光刻胶，经光刻、显影、坚膜后刻蚀以形成刻蚀道；沉积SiO2填充刻蚀道，并使晶片表面平坦化；使用H2气体高温刻蚀硅衬底结构表面，去除晶片表面损伤层；在外延炉中通入H2气体为载气，并通入碳源气体，对衬底表面进行碳化；在外延炉中通入H2气体为载气，通入硅源气体、碳源气体及掺杂气体，并在高温下反应生成3C碳化硅。本发明相比于传统的4H碳化硅同质外延，在外延生长前预先在硅衬底上形成应力释放结构，降低了外延生长过程中由于晶格失配及热膨胀失配带来的缺陷、孔洞和碎片等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 碳化硅 材料 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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