[发明专利]外延生长装置的调温方法以及外延生长装置有效

专利信息
申请号: 202111113173.0 申请日: 2021-09-23
公开(公告)号: CN113846376B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 汪延成;程佳峰;沈文杰;梅德庆;郑丽霞;周建灿;白天;张秋成;李阳健 申请(专利权)人: 浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
主分类号: C30B25/16 分类号: C30B25/16;C30B25/10;C30B25/08;C30B23/06;C30B23/02
代理公司: 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 代理人: 方道杰
地址: 312300 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种外延生长装置的调温以及外延生长装置。该调温方法包括以下步骤:在衬底上选定离线测温点,在衬底和/或加热基座上选定实时测温点,离线测温点与实时测温点对应;模拟外延生长装置的工作流程,以在衬底空转的情况下获取离线测温点的温度T1以及实时测温点的温度T2;拟合温度T1和温度T2,得到温度T1和温度T2之间的映射关系函数F;获取外延生长装置正常工作流程下的实时测温点的温度T2’;根据映射关系函数F以及温度T2’,计算获得对应的离线测温点的实时温度T1’;根据实时温度T1’调节外延生长装置的加热功率。本申请的优点在于:能够获得衬底表面精确的实时温度T1’,用以精准及时的反馈调节加热功率。
搜索关键词: 外延 生长 装置 调温 方法 以及
【主权项】:
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