[发明专利]包括铁电外围部分的钝化光电二极管在审
申请号: | 202111110714.4 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN114256360A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 阿卜杜卡迪尔·阿利亚内;哈奇莱·卡亚 | 申请(专利权)人: | 原子能和替代能源委员会 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18;H01L27/144 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 李慧然;程强 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光电二极管,包括:具有掺杂的第一区域(11)、掺杂的第二区域(12)和中间区域(13)的检测部分(10);介电层(30);以及半导体外围部分(25)。光电二极管还包括铁电外围部分(26.1),其位于中间层(13)与介电层(30)之间并与中间层和介电层接触,并且位于第一区域(11)与半导体外围部分(25)之间并在主平面中围绕第一区域(11)。 | ||
搜索关键词: | 包括 外围 部分 钝化 光电二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的