[发明专利]一种基于碳化硅MOSFET电源管理芯片设计方法在审
| 申请号： | 202111108635.X | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113792513A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 谭赣江;钱波;刘型志;郑可;刘辉;徐晓飞 | 申请（专利权）人： | 许继集团有限公司;国网重庆市电力公司计量中心 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/394 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 张真真 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于碳化硅MOSFET电源管理芯片设计方法，解决了二次设备硅基电源器件的高压易击穿、高温特性差、导通电阻大、损耗高的技术问题。本发明的步骤为：首先，设计具有高dv/dt抑制能力的碳化硅MOSFET驱动电路，并通过开关电路验证驱动电路的性能；其次，设计基于碳化硅MOSFET PWM环路控制电路，其中，PWM环路控制电路包括带隙基准电路、误差放大器和过温保护电路；最后，采用外置MOSFET功率器件的方式对电源管理芯片进行了测试，通过测试验证了电源管理芯片在开关电源工作环境下达到了设计的参数定义要求，且环路工作稳定。本发明有效降低了智能电网运行成本和维护成本，为建设坚强智能电网提供基础支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 碳化硅 mosfet 电源 管理 芯片 设计 方法 | ||
【主权项】：
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