[发明专利]一种碳化硅外延晶片生长用样品托上的复合涂层制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅外延晶片生长用样品托上的复合涂层制备方法，包括步骤：S1、采用射频线圈加热型CVD设备，在石墨材质样品托上沉积一层SiC涂层；S2、采用羊毛毡吸附旋转打磨的方式，在SiC涂层上镶嵌金刚石微纳颗粒；S3、在金刚石微纳颗粒上方异质外延一层金刚石多晶薄膜；S4、采用自动磨抛设备，对金刚石多晶膜表面进行研磨抛光；S5、采用步骤S1的相同方法，在金刚石多晶膜的表面沉积一层SiC涂层；S6、重复步骤S2至S5，获得具有多个周期性结构的复合涂层。该方法可以在样品托本体上实现具有高热导率和非均匀散热特性的复合涂层结构，可降低碳化硅外延过程中热应力型BPD位错的形成概率。