[发明专利]基于氮化物晶体管的发光器件及集成式MicroLED微显示器件有效
| 申请号: | 202111093965.6 | 申请日: | 2021-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN113782560B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
| 发明(设计)人: | 郭伟杰;郑曦;高玉琳;陈忠;吕毅军;郑振耀 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46 |
| 代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 连耀忠 |
| 地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种基于氮化物晶体管的发光器件及集成式MicroLED微显示器件,采用在衬底的第一表面上集成驱动晶体管和LED芯片,首先在衬底的第一表面生长驱动晶体管的外延层,再间隔地蚀刻驱动晶体管的外延层以裸露出衬底的第一表面,在裸露出的衬底的第一表面上再二次外延生长LED芯片的外延结构,因此在衬底的同一个表面上同时集成了驱动晶体管和LED芯片,可以提高驱动效率,并有较大版图布置面积。LED芯片采用二次外延生长的方式对性能和工艺更加良好,LED芯片的光可以从衬底的第二表面出射,中间没有其他层的吸收,光损耗小。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 氮化物 晶体管 发光 器件 集成 microled 显示 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学,未经厦门大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111093965.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种抗菌材料及其制备方法
- 下一篇:一种全柔性可印刷图形化的电极制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





