[发明专利]一种基于GaAs工艺的宽带低变频损耗双平衡混频器芯片有效
| 申请号： | 202111079862.4 | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113809989B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 杜琳;刘凯;肖宝玉;吴奕蓬;徐建辉 | 申请（专利权）人： | 西安博瑞集信电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 孟洁 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于GaAs工艺宽带低变频损耗双平衡混频器芯片，本振信号从两个并联的本振巴伦输入，将本振信号转化为四个平衡的输出端口，分别连接四个本振阻抗匹配网络，用于两个肖特基二极管混频核；同时，射频信号从两个并联的射频巴伦输入，将射频信号转化为四个平衡的输出端口，分别连接四个射频阻抗匹配网络，用于两个肖特基二极管混频核；中频信号从两个射频巴伦的次级中心抽头引出，经过中频滤波网络输出；本发明的此结构优点在于其混频产物只有单端混频器产物的四分之一，大大减少了混频器的杂散输出，双巴伦结构与本振、射频阻抗匹配技术相结合不仅改善了频带宽度，同时降低了变频损耗，隔离度与线性度也相应有所提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas 工艺 宽带 变频 损耗 平衡混频器 芯片 | ||
【主权项】：
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