[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 202111067482.9 | 申请日: | 2021-09-13 |
公开(公告)号: | CN115810640A | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 徐涛;付文;郑展 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种背照式图像传感器及其形成方法,所述背照式图像传感器包括若干第一隔离结构,自第一面延伸至半导体衬底内,并具有第一开口自所述第一隔离结构的顶部延伸至所述第一隔离结构内;第一外延层覆盖所述第一开口的侧壁及底部;格栅结构包括上下相连的第一格栅部及第二格栅部。本发明通过低温外延工艺形成的第一外延层,避免了高温工艺对第一隔离结构的影响,所述第一格栅部设于所述第一外延层上,并填充所述第一开口,所述第二格栅部沿所述第一格栅部的顶部延伸且覆盖所述第一开口,彩色滤色片及微透镜嵌设相邻的所述第二格栅部之间,避免串扰效应,提高背照式图像传感器的性能。 | ||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的