[发明专利]一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法有效
| 申请号： | 202111065370.X | 申请日： | 2021-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN113871378B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王宇轩;李冠宇;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50;H01L31/105;H01L31/0304;H01L29/73;H01L29/20 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市秦淮区永*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法，该方法通过将光电探测器从原衬底上剥离转移至跨阻放大器芯片所在衬底表面，并通过片上布线的方式实现探测器与跨阻放大器之间信号的互联；本发明充分发挥磷化铟(InP)PIN+HBT光电集成接收前端芯片的器件组合优势，又可以解决传统单片集成PIN+HBT共享生长法所面临的性能折中的瓶颈，提升芯片的整体性能：本方法采用剥离转移方法将非同衬底上生长并完成工艺的探测器集成在已完成工艺的跨阻放大器衬底上，实现最优性能下二者器件之间的近距离集成，提升最终光电集成接收前端芯片的性能。本发明有望推广至其他光电集成芯片的制造领域，具有较好的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 集成 接收 前端 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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