[发明专利]一种动态控制源流量的分子束源炉在审
| 申请号： | 202111064453.7 | 申请日： | 2021-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN115807261A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;甘志银;沈桥;植成杨;严晗 | 申请（专利权）人： | 广东众元半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528251 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种动态控制源流量的分子束源炉，从源材料容器底部往顶部依次安装有底层源蒸发预加热装置，中间层动态温度补偿加热装置，顶层束流高低温加热装置。各层分别对源材料进行加热。根据材料的外延生长速率需要合理设置底层源蒸发预加热装置的功率，根据材料组分或材料掺杂变化情况，需要合理调整中间层动态温度补偿加热装置和顶层束流高低温加热装置的功率，从而解决分子束外延生长系统中快速动态调整掺杂金属源流量的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 动态控制 源流 分子 束源炉 | ||
【主权项】：
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