[发明专利]提升电源抑制比的电源稳压芯片在审
| 申请号： | 202111052944.X | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113721689A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 袁广睿;刘晓敏;马永健;陆竹青 | 申请（专利权）人： | 无锡力芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 无锡知更鸟知识产权代理事务所(普通合伙) 32468 | 代理人： | 朱云华 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种LDO电路，尤其是一种提升电源抑制比的电源稳压芯片。按照本发明提供的技术方案，所述提升电源抑制比的电源稳压芯片，包括LDO电路本体，还包括与所述LDO电路本体适配连接的电源抑制比增强电路，所述电源抑制比增强电路的电源端与电源电压VDD连接，电源抑制比增强电路能产生并输出对电源电压VDD有抑制作用的内部电压VPP，所述电源抑制比增强电路所产生的内部电压VPP能提供LDO电路本体所需的工作电压。本发明能提升LDO电路的电源抑制比，确保LDO电路性能的稳定性与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 电源 抑制 稳压 芯片 | ||
【主权项】：
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