[发明专利]磁性随机存储器的存储单元及数据多态存储控制方法在审
| 申请号： | 202111049442.1 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113744777A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张洪超;卓昱东;曹凯华;陈文静;王戈飞;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 代峰 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种磁性随机存储器的存储单元及数据多态存储控制方法。其中，该存储单元包括：一个磁性隧道结和两个NMOS晶体管；其中，所述磁性隧道结串联在所述两个NMOS晶体管之间；其中，第一NMOS晶体管的源极接写位线，漏极经底电极后接源极线，栅极接写字线；第二NMOS晶体管漏极接读位线，源极接顶电极，栅极接读字线；所述磁性隧道结为多椭圆交叉结构，其中，所述磁性隧道结中固定层的磁矩方向、底电极电流方向和所述多椭圆的长轴方向呈0‑90°的角度。本发明实施例采用特定MTJ结构的存储单元，通过电流控制实现单个存储单元中的多个不同阻态，从而真正实现了单器件的多位存储，有效提升了存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 存储 单元 数据 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111049442.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
