[发明专利]一种1D/3D分等级异质结磁性半导体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111048476.9 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113731499B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘世熙;孙彭亮;曹秋娥 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | B01J31/18 | 分类号： | B01J31/18;B01J31/28;B01J27/188;B01J21/18;B01J37/10;B01J35/10;B01J37/34;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30;C02F101/30;C02F101/34;C02F101/38 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘丹丹 |
| 地址： | 650091*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种1D/3D分等级异质结磁性半导体及其制备方法和应用，属于纳米材料光催化技术领域。所述1D/3D分等级异质结磁性半导体整体包括碳纳米管和负载在所述碳纳米管上的HPW |
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| 搜索关键词： | 一种 分等级 异质结 磁性 半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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