[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202111042430.6 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN113783105B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 翁玮呈;梁栋;刘嵩;丁维遵;彭俊彦 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/34;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，制备方法中通过在同一刻蚀工艺中刻蚀位于N型欧姆层远离衬底一侧的第一钝化层，以及位于发光台面结构中P型接触层远离衬底一侧的第一钝化层，以在N型欧姆层远离衬底一侧形成第一开口暴露N型欧姆层，在发光台面结构中P型接触层远离衬底一侧形成第二开口暴露P型接触层，减少了开口刻蚀工艺的次数，并且在同一金属沉积工艺中，于第一开口中形成第一电极层以及于第二开口中依次形成P型欧姆层和第二电极层，减少了金属沉积工艺的次数以及金属耗材的量，从而提高了激光器的制备效率，缩短了激光器的制备时长，降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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