[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202111036002.2 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN113488436B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张纪稳;崔助凤;阳清 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105;H01L21/762;H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括逻辑区和存储区；依次形成第一半导体层、第二半导体层于所述衬底上；并在所述逻辑区上形成第一沟槽隔离结构，在所述存储区上形成第二沟槽隔离结构；移除所述第二半导体层，并对所述存储区和所述逻辑区的衬底分别进行离子植入，形成第一类型阱和第二类型阱；之后在所述逻辑区上的所述第一半导体层上沉积第三半导体层，并移除所述第一半导体层和所述第三半导体层，以形成深度不同的第一凹陷和第二凹陷，且所述第一凹陷小于所述第二凹陷。通过本发明提供的一种半导体结构及其制造方法，可改善半导体结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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