[发明专利]一种晶圆的切割方法在审
| 申请号： | 202111033918.2 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113732525A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘天建;田应超;李琳瑜;曹瑞霞;胡海威;孙远 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/70;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆的切割方法，包括：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面，以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁，待切割晶圆包括多个待混合键合芯片以及位于相邻待混合键合芯片之间的切割道；将待切割晶圆的混合键合表面朝向所述载盘设置，且混合键合表面的至少大部分与载盘之间未接触，并对背面执行贴膜工艺；从混合键合表面沿切割道对待切割晶圆执行激光开槽工艺，以在混合键合表面形成网格状的槽孔；在槽孔中执行激光隐形切割工艺，以得到单个的待混合键合芯片。本发明通过步骤S2，即非接触贴膜可有效规避临时键合工艺或背面贴膜工艺，降低成本同时避免了残胶的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
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