[发明专利]半导体激光二极管在审
| 申请号： | 202111027537.3 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113851932A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 斯文·格哈德;克里斯托夫·艾克勒;艾尔弗雷德·莱尔;贝恩哈德·施托耶茨 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/028;H01S5/042;H01S5/20;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;支娜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4)，其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42)，并且其中第一接触区域和第二接触区域(241，242)彼此邻接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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