[发明专利]基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件在审
| 申请号： | 202111025927.7 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113871478A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李琦;王磊;陈永和;姜焱彬;黄晓咪;杨保争;曾鹏;何智超;张锋 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极，通过背栅与顶栅控制沟道，实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面，通过顶部栅极偏置电压，使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压，削弱顶部栅所产生的电场，使得沟道二维电子气重新产生，实现P型沟道器件特性。另一方面，在开态下，进一步减小底部栅极偏置电压，异质结界面三角形势阱的深度增加，从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气，P型沟道的HEMT器件难以制造的难题，为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 具有 沟道 特性 新型 半导体器件 | ||
【主权项】：
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